Онлайн тесты на тему "МОИ | 3 семестр | Силовая электроника [ID 18564]"

Тестовое задание на тему: 3 семестр. Силовая электроника
Тест набрал 87 баллов, был выполнен на зачет. Отчёт набранных баллов предоставляю в демо работах.
В купленном тесте будут вопросы и ответы которые размещены ниже.
Так же могу выполнять данную работу индивидуально. Делайте индивидуальный заказ.

Описание работы

Образовательная автономная некоммерческая организация высшего образования
«МОСКОВСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ»

В активном режиме работы биполярного транзистора
В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить
Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в
В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью
При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–транзисторами имеют
Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит
При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах
Быстродействие IGBT транзистора
Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является
Не существует следующего вида модуляций
Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение
По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы
В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится
К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся
Коэффициент заполнения импульсов силового ключа
Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц
Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в
В резонансных силовых преобразователях
Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по
Электрический пробой силового диода возникает, когда
Динамическими параметрами силового диода являются
Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки