Онлайн тесты на тему "МОИ | 3 семестр | Силовая электроника"

Тестовое задание на тему: 3 семестр. Силовая электроника
Тест набрал 87 баллов, был выполнен на зачет. Отчёт набранных баллов предоставляю в демо работах.
В купленном тесте будут вопросы и ответы которые размещены ниже.
Так же могу выполнять данную работу индивидуально. Делайте индивидуальный заказ.

Описание работы

Образовательная автономная некоммерческая организация высшего образования
«МОСКОВСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ»

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы
В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить
В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях
В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут
Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся
Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его
IGBT транзистор не находит применение в области
К аппаратам низкого напряжения не относятся
К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является
При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
Принципы построения ФИУ не зависят от
Для реализации идеального управляющего импульса необходимо
В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся
Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями
Коэффициент заполнения импульсов силового ключа
К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится
Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров
Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по
Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
Величина заряда обратного восстановления силового диода
К предельно допустимым параметрам силового диода относится
Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса