Онлайн тесты на тему "Силовая электроника"


Силовая электроника

8

Насколько полезен этот материал?
Похожие работы

Физическая культура
Онлайн тесты
Автор: Stepa91

Управление персоналом
Онлайн тесты
Автор: Pyotr

Языки (переводы)
Онлайн тесты
Автор: Rodion

Маркетинг
Онлайн тесты
Автор: Pyotr
Ответы на 54 вопроса по дисциплине "Силовая электроника" Синегрия, МТИ (МосТех), МОИ.
Дисциплина сдана на 92 балла из 100 (оценка: отлично)
Количество страниц: 9
Демо работы
Описание работы
1.В режиме лавинного пробоя силового диода...
2.Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна...
3.Точечные диоды...
4.При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде...
5.К предельно допустимым параметрам силового диода относится...
6.Плоскостные диоды...
7.Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит...
8.Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает...
9.К параметрам силовых диодов не относятся...
10.Силовой диод содержит...
11.При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода...
12.Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
13.Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если...
14.Силовым диодом называется...
15.Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются...
16.Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки?
17.Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:
18.Электрический пробой силового диода возникает, когда...
19.К статическим параметрам силового диода не относится:
20.Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами...
21.Величина заряда обратного восстановления силового диода:
22.Основная функция силового диода:
23.Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса:
24.При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода:
25.Динамическими параметрами силового диода являются...
26.Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
27.При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
28.Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален:
29.Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в:
30.Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки:
31.В основе биполярного транзистора лежит:
32.В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения. В
33.В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить:
34.В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут:
35.Силовой диод содержит
37.Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна:
38.Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если:
39.Силовым диодом называется:
40.Электрический пробой силового диода возникает, когда:
41.Величина заряда обратного восстановления силового диода:
42.Основная функция силового диода:
43.Транзисторы Дарлингтона используют для:
44.Транзистор – это
45.Полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении, названный в честь немецкого физика?
46.Полупроводниковый диод для стабилизации напряжения?
47.Стабилизатор напряжения, в котором регулирующий элемент работает в ключевом режиме, называется
48.Обязательным элементом импульсных источников питания является электронный ...:
49.Преобразователь электрической энергии, позволяющий получить на выходе напряжение, находящееся в заданных пределах при больших колебаниях входного напряжения называется...
50.Феррорезонансные стабилизаторы напряжения стали широко применяться ..
51.Преобразователь электрической энергии, позволяющий получить на выходе напряжение, находящееся в заданных пределах при значительных колебаниях сопротивления нагрузки?
52.Какой стабилизатор переменного напряжения состоит из двух дросселей?
53.Аппараты дистанционного действия, предназначенные для частых включений и отключений силовых электрических цепей при нормальном режиме работы?
54.В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется: