Тесты на тему "Силовая электроника 3 семестр тест с ответами на 249 вопросов МФПУ Синергия / Московский открытый институт (МОИ) / Московский технологический институт (МТИ) / МОСАП"

Ответы на тест 249 вопросов по дисциплине "Силовая электроника.ти" 3 семестр
Пожалуйста проверяйте вопросы из списка ниже перед покупкой. Удачи в учебе)))

Описание работы

1. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является
2. К недостаткам МОП-транзисторов относится
3. Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
4. Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
5. Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в
6. К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
7. Нуль-орган не может быть выполнен на базе:
8. Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
9. Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются
10. Для включения тиристора SCR необходимо
11. К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся
12. Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
13. Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами
14. Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
15. Пульсность выпрямителя
16. Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
17. Быстродействие IGBT транзистора
18. В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)
19. В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
20. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
21. В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
22. К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:
23. В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и
ограничивающих анодных индуктивностях,
24. Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
25. В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
26. К аппаратам низкого напряжения не относятся
27. В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего
генератора (ЗГ)
28. В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
29. При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах
30. В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
31. В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
32. Величина заряда обратного восстановления силового диода
33. Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
34. К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
35. Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
36. Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
37. Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют
38. Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
39. Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
40. Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
41. Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
42. К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
43. К новым типам комбинированных транзисторов относятся
44. В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
45. К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
46. Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
47. Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты
48. В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
49. К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания
относятся
50. К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:
51. К предельно допустимым параметрам силового диода относится
52. К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
53. К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
54. Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно
55. Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
56.Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются
57. Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса
58. Конструктивно симистор представляет собой
59. Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален
60. Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен
61. Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит
62. По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает
63. Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
64. Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT
применяются в
65. Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
66. При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают
67. Полевой транзистор в линейном режиме используется как
68. Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
69. Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
70. Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ
71. Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально
допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть
72. Оптотиристор – это
73. Основными видами перегрузок по напряжению не являются
74. Особенностью МОП-транзисторов является
75. Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
76. Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между
77. Плоскостные диоды
78. Полевые транзисторы нельзя включать по схеме
79. Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
80. При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется
паразитный
81. При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
82. При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
83. При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
84. Ток стока IGBT транзистора
85. Главным достижением развития современных силовых ключей является
86. Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут
87. Силовой диод содержит
88. Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
89. В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
90. Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
91. Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет
92. Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
93. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
94. Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
95. Статический индукционный транзистор СИТ может работать при
96. Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
97. Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие
98. Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
99. Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
100. Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
101. Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
102. Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется
103. Электрический пробой силового диода возникает, когда
104. Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
105. IGBT транзистор не находит применение в области
106. Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
107. SIT транзисторы производятся с каналами
108. Транзисторы Дарлингтона используют для
109. К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится
110. При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
111. В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью
112. К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения относятся
113. В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся
114. Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют
115. К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
116. Транзистор – это
117. В основе биполярного транзистора лежит
118. В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется
119. В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к
переходам напряжения
120. Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы
121. В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в
базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
122. В активном режиме работы биполярного транзистора
123. В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно
заменить
124. Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы
125. Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения
126. Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы
127. Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки
128. В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить
129. В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют
130. В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих
положениях
131. В режиме отсечки силового биполярного транзистора
132. В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут
133. Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора,
не зависит от
134. С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо
135. Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем
136. Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO
137. В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера
не относится
138. Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц
139. Область применения биполярных и МОП-транзисторов
140. Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имеют
141. Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют
142. Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
143. В резонансных силовых преобразователях
144. Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью
145. К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится
146. Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых
транзисторов с
147. Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор) не содержит
148. Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее перспективными являются
149. Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров
150. Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по
151. Основная функция силового диода
152. В режиме лавинного пробоя силового диода резко увеличивается
153. Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с
помощью
154. К параметрам силовых диодов не относятся
155. К статическим параметрам силового диода не относится
156. Динамическими параметрами силового диода являются
157. Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами
158. Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки
159. Точечные диоды
160. Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:
161. Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия
162. Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока
осуществляется
163. При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток
164. Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию
165. Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы
166. К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся
167. К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся
168. В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В)
применяются:
169. Полевой транзистор в режиме насыщения используется как
170. Для изготовления высоковольтных DМОП - транзисторов с n-каналом используются
171. При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–транзисторами имеют
172. Качество МДП - структуры тем выше, чем
173. Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит
174. К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится
175. К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся
176. На основе тиристоров с неполной управляемостью построены
177. Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании
178. Ассиметричный (обычный) тиристор содержит
179. В тиристоре SCR при подаче только положительного напряжения между анодом и катодом, но с величиной меньше
напряжения переключения,
180. К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится
181. Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха
182. Симистор – это тиристор, который может
183. При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются
184. Запираемый тиристор GTO
185. Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его
186. В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует
187. Силовые комбинированные приборы могут коммутировать
188. В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют
189. Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание
190. В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры
191. Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется
192. По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий ток коммутации
обеспечивает
193. Высокой температурной устойчивостью не обладает
194. В транзисторе IGBT сочетается
195. Как и МОП-транзистор СИТ транзистор
196. К аппаратам высокого напряжения не относятся
197. К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого
замыкания, относятся
198. К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования,
относятся
199. Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является
200. Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает
201. Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными
входами силовых устройств, это
202. Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это
203. Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации
204. Не существует следующего вида модуляций
205. Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к
206. При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
207. При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
208. При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
209. К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся
210. В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение
211. Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к
212. Принципы построения ФИУ не зависят от
213. Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется
214. Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование
215. Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью
216. По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы
217. Для реализации идеального управляющего импульса необходимо
218. Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ
219. Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает
220. К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится
221. Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с
222. В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный
223. В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
224. Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами
225. К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся
226. Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ
227. Система управления электронными ключами не предназначена для
228. Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями
229. В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится
230. При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
231. Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов,
равное
232. В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения
233. В одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем совпадения (СС) поступают
импульсы с выходов
234. В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов
обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину
235. Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна
236. В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения
237. Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового инвертора напряжения
238. В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией содержится
239. Коэффициент заполнения импульсов силового ключа
240. Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит
241. Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют
242. Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок
243. Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют
244. Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют
245. К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится
246. В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и
247. Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют
248. С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный
249. Силовым диодом называется