Онлайн тесты на тему "Готовый тест с ответами "Силовая электроника" | МФПУ "Синергия", МОИ"

В приобретаемом файле содержатся ответы на задания теста, который был успешно сдан в 2023 году. 103 вопроса. Ответы выделены цветным маркером в тексте. Чтобы файл корректно читался, его следует смотреть на стандартном ПК.

Описание работы

1. Основными видами перегрузок по напряжению не являются
характер подключенной нагрузки
коммутационные процессы
воздействие питающей сети
короткое замыкание цепи нагрузки
2. Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
обратноходовые
импульсно-ходовые
прямоходовые
интервально-ходовые
3. Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
Обратноходовые
импульсно-ходовые
прямоходовые
интервально-ходовые
4. Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в
открытом состоянии и характеризуется очень малым током
закрытом состоянии и характеризуется очень малым током
закрытом состоянии и характеризуется очень большим током
открытом состоянии и характеризуется очень большим током
5. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является
преобразователь числа фаз
выпрямитель
трансформатор
преобразователь частоты
6. К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
энергия потерь при выключении
максимально допустимое напряжение затвор-исток
выходная емкость
максимально допустимый ток стока
7. К недостаткам МОП-транзисторов относится
малое значение входной емкости
большое значение входной емкости
повышенное сопротивление в проводящем состоянии
очень низкое сопротивление в проводящем состоянии
8. Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются
соответственно к верхней и нижней монтажным шинам схемам
перекрестно к противоположным монтажным шинам
схемы последовательно с силовым ключом
параллельно силовому ключу
9. Для включения тиристора SCR необходимо
подать отрицательное напряжение между анодом и катодом
снизить анодный ток до минимальной величины
подать положительное напряжение между анодом и катодом
подать импульс управления на управляющий электрод
10. К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся
время спада тока коллектора
максимально допустимый ток коллектора
ток обратного смещенного коллекторного перехода
время нарастания тока коллектора
11. Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
высокими значениями обратного напряжения и прямого тока
высокими значениями прямого напряжения и прямого тока
низкими значениями обратного напряжения и прямого тока
низкими значениями обратного напряжения и обратного тока
12. Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
от 25 до 100 мкс
от 1 до 5 мкс
от 25 до 100 нс
от 1 до 5 нс
13. Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами
высокое входное сопротивление
меньшее напряжение в открытом состоянии
высокие частотные характеристики
низкий ток коммутации
14. Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
повреждение силового ключа
накопление зарядов в ключевых компонентах схемы
влияние паразитных элементов схемы и монтажа
рассасывание зарядов в ключевых компонентах схемы
15. Пульсность выпрямителя
обратно пропорциональна частоте пульсации
прямо пропорциональна частоте питающего напряжения
прямо пропорциональна частоте пульсации
обратно пропорциональна частоте питающего напряжения
16. Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
полевого транзистора с горизонтальным каналом
униполярного транзистора
полевого транзистора с вертикальным каналом
биполярного транзистора
17. Быстродействие IGBT транзистора
выше быстродействия полевых транзисторов
ниже быстродействия полевых транзисторов
выше быстродействия биполярных транзисторов
ниже быстродействия биполярных транзисторов
18. В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)
в шесть раз превышает частоты питающей сети
в три раза меньше частоты питающей сети
равна частоте питающей сети
в три раза превышает частоту питающей сети
19. Нуль-орган не может быть выполнен на базе:
ключевых транзисторов, работающих под управлением синхроимпульсов
полупроводниковых диодов, работающих под управлением синхроимпульсов
трансформатора, который перемагничивается в момент перехода синхронизирующего напряжения через нуль
сравнивающего устройства в интегральном исполнении
20. В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
коллектор-база - в обратном направлении
эмиттер-база - в прямом направлении
коллектор-база - в прямом направлении
эмиттер-база - в обратном направлении
21. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
преобразователь частоты
инвертор
выпрямитель
регулятор переменного значения
22. В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
исток
подложку
затвор
сток
23. К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:
высокий уровень собственных шумов
высокое входное сопротивление в схеме с общим истоком (ОИ)
отсутствие вторичного пробоя
низкая плотность размещения элементов при изготовлении интегральных схем
24. В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности
прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока
обратно пропорциональна величине паразитной индуктивности
обратно пропорциональна квадрату величины анодного тока
25. Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
функционального назначения преобразовательных устройств
конструкции преобразовательного устройства
типа преобразовательных устройств
элементной базы электронных ключей
26. В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
включение осуществляется при спаде тока через прибор до нуля
выключение осуществляется сигналом управления
включение осуществляется сигналом управления
выключение – при спаде тока через прибор до нуля
27. К аппаратам низкого напряжения не относятся
аппараты управления и защиты
аппараты автоматического регулирования
шунтирующие реакторы
аппараты автоматики
28. В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
в четыре раза меньшей выходной частоты инвертора
в два раза превышает выходную частоту инвертора
в четыре раза превышает выходную частоту инвертора
в два раза меньшей выходной частоты инвертора
29. В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
база
коллектор
подложка
эмиттер
30. При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах
от 10 до 100 А/мкс
от 1 до 100 А/мкс
от 1 до 10 А/мкс
от 10 до 1000 А/мкс
31. В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
фазосдвигающее устройство (ФСУ)
нуль-орган (НО)
генератор пилообразного напряжения (ГПН)
компаратор (К)
32. В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
увеличения мощности, потребляемой ФИУ
повышения частотных характеристик ФИУ
снижения частотных характеристик ФИУ
снижения мощности, потребляемой ФИУ
33. Величина заряда обратного восстановления силового диода
прямо пропорциональна амплитуде входного сигнала
прямо пропорциональна частоте коммутации
обратно пропорциональна мощности потерь обратного восстановления
прямо пропорциональна энергии обратного восстановления
34. Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
порядка 0,1 А
порядка 0,5 А
порядка 0,3 А
порядка 0,2 А
35. К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
разъединители и отделители
ограничители перенапряжений
шунтирующие реакторы
разделительные трансформаторы
36. Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
от 10 до 20 А
от 20 до 40 мА
от 10 до 20 мА
от 20 до 40 А
37. Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
шунтирующий высокочастотный конденсатор небольшой емкости
быстродействующий диод
низкочастотный диод
шунтирующий низкочастотный конденсатор большой емкости
38. Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют
симисторы (триаки)
однооперационные тиристоры
МОП-транзисторы
биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
39. Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
напряжение отсечки равно нулю
напряжение отсечки имеет отрицательное значение
при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в закрытом состоянии
при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в открытом состоянии
40. Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
улучшаются частотные и динамические свойства прибора
снижается мощность потерь
ухудшаются частотные и динамические свойства прибора
возрастает мощность потерь
41. Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
напряжение на аноде меньше, чем напряжение на катоде
напряжение на аноде равно напряжению на катоде
напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде
напряжения на аноде и катоде отсутствуют
42. Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗ)
транзисторы с управляющим p-n-переходом (p-n-затвором) (ПТУП)
МОП - транзисторы (металл -окисел-полупроводник)
МДП - транзисторы (металл -диэлектрик-полупроводник
43. В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью
электрического поля, перпендикулярного направлению тока
электрического поля, параллельного направлению тока
тока, перпендикулярного направлению напряжения
тока, параллельного направлению напряжения
44. К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
низкий коэффициент передачи тока
температурная нестабильность параметров
большая задержка передачи сигналов
потенциальная развязки информационного сигнала
45. К новым типам комбинированных транзисторов относятся
транзисторы со статической индукцией
биполярные транзисторы с изолированным затвором
симистор
полевой тиристор МСТ
46. В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
47. К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
симметричный режим работы трансформатора
малое количество силовых ключей
простота реализации схем управления
интеллектуальная система управления
48. Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
с проводным каналом
со встроенным каналом
с индуцированным каналом
с проецированным каналом
49. Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты
вначале уменьшается, а потом увеличивается до 1
не изменяется
увеличивается до 1 и потом остается неизменным
вначале увеличивается до 1, а потом уменьшается
50. В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
замкнутым ключом
источником тока коллектора, управляемого током базы
источником тока эмиттера, управляемого током базы
разомкнутым ключом
51. К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся
высокий уровень выходного тока драйвера
низкая рассеиваемая мощность в драйвере
ограниченный выходной ток драйвера
оптимизация разводки печатной платы
52. К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:
входная емкость
энергия потерь при включении
максимально допустимый ток стока
крутизна передаточной характеристики
53. К предельно допустимым параметрам силового диода относится
импульсное обратное напряжение
напряжение пробоя
время нарастания прямого тока
динамическое сопротивление
54. К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
зависимость амплитуды импульса управления от скважности
независимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
зависимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
независимость амплитуды импульса управления от скважности
55. К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
преобразование переменного напряжения в постоянное напряжение
преобразование постоянного напряжения в переменное напряжение
формирование сигналов управления силовой частью
осуществление оперативного обмена с внешней средой
56. Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно
с общей базой (ОБ)
с общим истоком (ОИ)
с общей подложкой (ОП)
с общим стоком (ОС)
57. Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
импульсные
цифровые
непрерывные
релейные
58.Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются
низкая частота коммутации
зависимость частоты коммутации от входного напряжения
зависимость частоты коммутации от тока нагрузки
низкие динамические характеристики
59. Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса
6 В
600 В
60 В
6000 В
60. Конструктивно симистор представляет собой
объединение двух встречновключенных тиристоров
объединение трех встречновключенных тиристоров
объединение двух прямовключенных тиристоров
объединение трех прямовключенных транзисторов
61. Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален
току коллектора в граничном режиме
току базы в граничном режиме
току базы в насыщенном режиме
току коллектора в насыщенном режиме
62. Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен
сумме коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
произведению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
разности коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
отношению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
63. Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит
один генератор пилообразного напряжения
один синхронизатор
три синхронизатора
три генератора пилообразного напряжения
64. По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает
биполярный транзистор с изолированным затвором
полевой транзистор с изолированным затвором
асинхронный тиристор
биполярный транзистор
65. Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
произведению величины заряда обратного восстановления и частоты коммутации
произведению величины заряда обратного восстановления и амплитуды входного сигнала
произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации
произведению амплитуды входного сигнала и частоты коммутации
66. Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в
источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт
источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт
67. Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
подключение внешних дополнительных защитных устройств
повышение уровня помехозащищенности системы управления и ключа
определение момента перегрузки и подключение системы защиты
уменьшение влияния паразитных элементов монтажа
68. При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности
наличие более низких амплитудных значений переключающих токов и высоких значений рассеиваемой мощности
наличие более высоких амплитудных значений переключающих токов
изменение формы коммутируемых токов и напряжений
наличие более высоких значений рассеиваемой мощности
69. Полевой транзистор в линейном режиме используется как
источник тока, управляемый напряжением на затворе
сопротивление, управляемое напряжением на затворе
источник тока, управляемый током на затворе
сопротивление, управляемое током на затворе
70. Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
силовые ключи с встроенными системами защиты
силовые ключи с интегрированными функциями защиты и управления
силовые ключи с внешними системами защиты и управления
силовые интеллектуальные модули
71. Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
72. Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ
прямо пропорциональна напряжению на затворе
прямо пропорциональна току коллектора
обратно пропорциональна напряжению на затворе
обратно пропорциональна току коллектора
73. Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть
равно 2-х кратному выходному напряжению выпрямителя
больше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
меньше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
равно выходному напряжению выпрямителя
74. Оптотиристор – это
тиристор со встроенным в него светоизлучателем
фототиристор со встроенным в него светоприемником
тиристор со встроенным в него светоприемником
фототиристор со встроенным в него светоизлучателем
75. Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
имеющий трехслойную структуру
управляемый электрическими импульсами
имеющий четырехслойную структуру
управляемый световыми импульсами
76. Особенностью МОП-транзисторов является
низкое входное сопротивление и высокое быстродействие
низкое входное сопротивление и низкое быстродействие
высокое входное сопротивление и высокое быстродействие
высокое выходное сопротивление и низкое быстродействие
77. Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
предельное обратное напряжение более 100 В
низкую инерционность прибора
время обратного восстановления не более 0,3 мкс
падение прямого напряжения от 0,3 до 0,6 В
78. В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
наличие длительных многократных перегрузок по току
индуктивный характер нагрузки
наличие противонаправленной ЭДС вращения
наличие кратковременных многократных перегрузок по току
79. Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
не полностью управляемый прибор
полностью управляемый током прибор
неуправляемый прибор
полностью управляемый электрическим полем прибор
80. Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет
более низкое быстродействие
более высокое сопротивление канала в проводящем состоянии
более высокое быстродействие
более низкое сопротивление канала в проводящем состоянии
81. Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
тиристоры (SCR)
биполярные и МОП-транзисторы
симисторы (триаки)
82. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
сварочных аппаратах
робототехнике
печах СВЧ
линиях электропередач
83. Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
фронта нарастания силового тока
величины дополнительной индуктивности
типа транзистора
величины защитной емкости
84. Статический индукционный транзистор СИТ может работать при
обратном смещении затвора (режим биполярного транзистора)
прямом смещении затвора (режим полевого транзистора)
прямом смещении затвора (режим биполярного транзистора)
обратном смещении затвора (режим полевого транзистора)
85. Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
дополнительным слоем полупроводника n-типа
дополнительным слоем полупроводника p-типа
дополнительным слоем полупроводника p-n-типа
дополнительным слоем полупроводника n-p-типа
86. Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие
только в выпрямительном режиме
только в инверторном режиме
в инверторном режиме
в выпрямительном режиме
87. Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
идеальный диод
катушку индуктивности
электрическую батарею
резистор с динамическим сопротивлением
88. Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
повышают уровень индуктивной связи между проводниками
гальваническую развязку между основными токоведущими шинами схемы и драйверами ключей
уменьшают индуктивную связь между проводниками
повышают уровень емкостной связи между цепями
89. Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
наличие участка вторичного пробоя
высокая температурная устойчивость
низкая температурная устойчивость
отсутствие участка вторичного пробоя
90. Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
управляемых транзисторных генераторов
импульсных трансформаторов
R-L-Сцепей
интегральных микросхем
91. Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется
путем размыкания его базовой цепи
путем размыкания его эмиттерной цепи
путем размыкания его коллекторной цепи
путем размыкания его затворной цепи
92. Электрический пробой силового диода возникает, когда
обратное напряжение уменьшается по отношению к установленному порогу
обратное напряжение увеличивается сверх установленного порога
обратное напряжение отсутствует
обратное напряжение равно значению установленного порога
93. Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
энергии
информации
тока
напряжения
94. IGBT транзистор не находит применение в области
высоких напряжений
высоких частот
высоких мощностей
высоких токов коммутации
95. Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
автоэлектронике
сварочных аппаратах
аудиотехнике
видеотехнике
96. Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют
магнитные выключатели
плавкие предохранители общего назначения
быстродействующие плавкие предохранители
биметаллические выключатели
97. SIT транзисторы производятся с каналами
только p-типа
только n-типа
n-типа
p-типа
98. Транзисторы Дарлингтона используют для
увеличения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
уменьшения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
уменьшения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
увеличения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
99. К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится
максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
энергия, которая может выделиться в тиристоре без его разрушения
напряжение лавинного пробоя
ударный ток
100. При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
больше нуля
меньше нуля
стремится к бесконечности
равно нулю
101. К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
ударный ток
напряжение лавинного пробоя
напряжение переключения тиристора
102. К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения относятся
время нарастания
время запаздывания обратного напряжения
время выключения
время установления
103. В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся
две системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
две системы управления инверторным режимом (СУИР)
три системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
три системы управления инверторным режимом (СУИР)