Реферат на тему "Реферат | Ячейки постоянных запоминающих устройств [ID 54488]"

Реферат на тему: Ячейки постоянных запоминающих устройств
Был выполнен в 2025 году и сдан на отлично.
Оригинальность работы от 70% по версии антиплагиат ру.
Ниже выкладываю часть реферата в ознакомительных целях. Полный файл сможете скачать в личном кабинете после оплаты.

Описание работы

ПЗУ - является энергозависимой памятью, хранящей данные программ для микроконтроллеров и DPS. Перечень применения: BIOS, DDC, DUC NCO и DDS.
ПЗУ часто используется вместе с оперативной памятью (ОЗУ), которая хранит временные данные при работе устройства. Кроме того, ПЗУ может быть программируемым или непрограммируемым, что определяет возможности его использования. Программируемое ПЗУ позволяет производить изменения в его содержимом, в то время как репрограммируемое ПЗУ не может быть изменено после производства. Существуют различные типы ПЗУ, такие как масочные ПЗУ, ПЗУ на основе флэш-памяти и ПЗУ на основе электрически стираемой ПЗУ (EEPROM).

Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ, ROM — Read Only Memory) занимают ключевое место в архитектуре современных цифровых систем. Они обеспечивают хранение неизменяемой или редко изменяемой информации, необходимой для функционирования аппаратных и программных компонентов. Ячейка постоянной памяти является фундаментальной структурной единицей, определяющей свойства ПЗУ — скорость доступа, потребляемую мощность, надёжность, плотность размещения информации и возможность перезаписи. Эволюция ячеек ПЗУ отражает общие тенденции развития микроэлектроники: стремление к уменьшению размеров транзисторов, повышению плотности хранения, снижению энергопотребления и расширению функциональных возможностей.

Список литературы
1. Jacob, B., Ng, S., Wang, D. Memory Systems: Cache, DRAM, Disk. — Morgan Kaufmann, 2007.
2. Chen, Y., Wong, H. Nonvolatile Memory Technologies. — IEEE Transactions, 2011–2020.
3. Kang, S. Flash Memory Technology. — Wiley, 2014.
4. Lai, S. Current Status of the Phase Change Memory and Its Future. — IEEE International Electron Devices Meeting, 2003–2009.
5. Waser, R., Aono, M. Nanoionics-Based Resistive Switching Memories. — Nature Materials, 2007.
6. Gallagher, W., Parkin, S. MRAM Technology. — IBM Journal of Research and Development, 2006.
7. Ma, T., Han, J. Ferroelectric Memory Integration. — Annual Review of Materials Research, 2018.
8. Wong, H., Lee, S. Memory Technologies for the Future. — Proceedings of the IEEE, 2016.
9. Bez, R., Cappelletti, P. Flash Memories. — Springer, 2003.
10. Micheloni, R., Aritome, S. 3D NAND Flash Memories. — Springer, 2016.