Ответы на вопросы на тему "(Синергия МОИ МТИ МОСАП) Силовая электроника (ответы на тест)"

(Синергия МОИ МТИ МОСАП) Силовая электроника (ответы на тест)

Описание работы

1. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является
*преобразователь числа фаз
*выпрямитель
*трансформатор
*преобразователь частоты
2. К недостаткам МОП-транзисторов относится
*малое значение входной емкости
*большое значение входной емкости
*повышенное сопротивление в проводящем состоянии
*очень низкое сопротивление в проводящем состоянии
3. Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
*обратноходовые
*импульсно-ходовые
*прямоходовые
*интервально-ходовые
4. Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
*Обратноходовые
*импульсно-ходовые
*прямоходовые
*интервально-ходовые
5. Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в
*открытом состоянии и характеризуется очень малым током
*закрытом состоянии и характеризуется очень малым током
*закрытом состоянии и характеризуется очень большим током
*открытом состоянии и характеризуется очень большим током
6. К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
*энергия потерь при выключении
*максимально допустимое напряжение затвор-исток
*выходная емкость
*максимально допустимый ток стока
7. Нуль-орган не может быть выполнен на базе:
*ключевых транзисторов, работающих под управлением синхроимпульсов
*полупроводниковых диодов, работающих под управлением синхроимпульсов
*трансформатора, который перемагничивается в момент перехода синхронизирующего напряжения через нуль
*сравнивающего устройства в интегральном исполнении
8. Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
*от 25 до 100 мкс
*от 1 до 5 мкс
*от 25 до 100 нс
*от 1 до 5 нс
9. Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются
*соответственно к верхней и нижней монтажным шинам схемам
*перекрестно к противоположным монтажным шинам
*схемы последовательно с силовым ключом
*параллельно силовому ключу
10. Для включения тиристора SCR необходимо
*подать отрицательное напряжение между анодом и катодом
*снизить анодный ток до минимальной величины
*подать положительное напряжение между анодом и катодом
*подать импульс управления на управляющий электрод
11. К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся
*время спада тока коллектора
*максимально допустимый ток коллектора
*ток обратного смещенного коллекторного перехода
*время нарастания тока коллектора
12. Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
*высокими значениями обратного напряжения и прямого тока
*высокими значениями прямого напряжения и прямого тока
*низкими значениями обратного напряжения и прямого тока
*низкими значениями обратного напряжения и обратного тока
13. Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами
*высокое входное сопротивление
*меньшее напряжение в открытом состоянии
*высокие частотные характеристики
*низкий ток коммутации
14. Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
*повреждение силового ключа
*накопление зарядов в ключевых компонентах схемы
*влияние паразитных элементов схемы и монтажа
*рассасывание зарядов в ключевых компонентах схемы
15. Пульсность выпрямителя
*обратно пропорциональна частоте пульсации
*прямо пропорциональна частоте питающего напряжения
*прямо пропорциональна частоте пульсации
*обратно пропорциональна частоте питающего напряжения
16. Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
*полевого транзистора с горизонтальным каналом
*униполярного транзистора
*полевого транзистора с вертикальным каналом
*биполярного транзистора
17. Быстродействие IGBT транзистора
*выше быстродействия полевых транзисторов
*ниже быстродействия полевых транзисторов
*выше быстродействия биполярных транзисторов
*ниже быстродействия биполярных транзисторов
18. В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)
*в шесть раз превышает частоты питающей сети
*в три раза меньше частоты питающей сети
*равна частоте питающей сети
*в три раза превышает частоту питающей сети
19. В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
*коллектор-база - в обратном направлении
*эмиттер-база - в прямом направлении
*коллектор-база - в прямом направлении
*эмиттер-база - в обратном направлении
20. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
*преобразователь частоты
*инвертор
*выпрямитель
*регулятор переменного значения
21. В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
*исток
*подложку
*затвор
*сток
22. К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:
*высокий уровень собственных шумов
*высокое входное сопротивление в схеме с общим истоком (ОИ)
*отсутствие вторичного пробоя
*низкая плотность размещения элементов при изготовлении интегральных схем
23. В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
*прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности
*прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока
*обратно пропорциональна величине паразитной индуктивности
*обратно пропорциональна квадрату величины анодного тока
24. Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
*функционального назначения преобразовательных устройств
*конструкции преобразовательного устройства
*типа преобразовательных устройств
*элементной базы электронных ключей
25. В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
*включение осуществляется при спаде тока через прибор до нуля
*выключение осуществляется сигналом управления
*включение осуществляется сигналом управления
*выключение – при спаде тока через прибор до нуля
26. К аппаратам низкого напряжения не относятся
*аппараты управления и защиты
*аппараты автоматического регулирования
*шунтирующие реакторы
*аппараты автоматики
27. В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
*в четыре раза меньшей выходной частоты инвертора
*в два раза превышает выходную частоту инвертора
*в четыре раза превышает выходную частоту инвертора
*в два раза меньшей выходной частоты инвертора
28. В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
*база
*коллектор
*подложка
*эмиттер
29. При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах
*от 10 до 100 А/мкс
*от 1 до 100 А/мкс
*от 1 до 10 А/мкс
*от 10 до 1000 А/мкс
30. В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
*фазосдвигающее устройство (ФСУ)
*нуль-орган (НО)
*генератор пилообразного напряжения (ГПН)
*компаратор (К)
31. В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
*увеличения мощности, потребляемой ФИУ
*повышения частотных характеристик ФИУ
*снижения частотных характеристик ФИУ
*снижения мощности, потребляемой ФИУ
32. Величина заряда обратного восстановления силового диода
*прямо пропорциональна амплитуде входного сигнала
*прямо пропорциональна частоте коммутации
*обратно пропорциональна мощности потерь обратного восстановления
*прямо пропорциональна энергии обратного восстановления
33. Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
*порядка 0,1 А
*порядка 0,5 А
*порядка 0,3 А
*порядка 0,2 А
34. К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
*разъединители и отделители
*ограничители перенапряжений
*шунтирующие реакторы
*разделительные трансформаторы
35. Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
*от 10 до 20 А
*от 20 до 40 мА
*от 10 до 20 мА
*от 20 до 40 А
36. Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
*шунтирующий высокочастотный конденсатор небольшой емкости
*быстродействующий диод
*низкочастотный диод
*шунтирующий низкочастотный конденсатор большой емкости
37. Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют
*симисторы (триаки)
*однооперационные тиристоры
*МОП-транзисторы
*биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
38. Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
*напряжение отсечки равно нулю
*напряжение отсечки имеет отрицательное значение
*при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в закрытом состоянии
*при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в открытом состоянии
39. Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
*улучшаются частотные и динамические свойства прибора
*снижается мощность потерь
*ухудшаются частотные и динамические свойства прибора
*возрастает мощность потерь
40. Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
*напряжение на аноде меньше, чем напряжение на катоде
*напряжение на аноде равно напряжению на катоде
*напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде
*напряжения на аноде и катоде отсутствуют
41. Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
*транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗ)
*транзисторы с управляющим p-n-переходом (p-n-затвором) (ПТУП)
*МОП - транзисторы (металл -окисел-полупроводник)
*МДП - транзисторы (металл -диэлектрик-полупроводник
42. К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
*низкий коэффициент передачи тока
*температурная нестабильность параметров
*большая задержка передачи сигналов
*потенциальная развязки информационного сигнала
43. К новым типам комбинированных транзисторов относятся
*транзисторы со статической индукцией
*биполярные транзисторы с изолированным затвором
*симистор
*полевой тиристор МСТ
44. В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
*открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
*открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода *закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
*закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
45. К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
*симметричный режим работы трансформатора
*малое количество силовых ключей
*простота реализации схем управления
*интеллектуальная система управления
46. Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
*с проводным каналом
*со встроенным каналом
*с индуцированным каналом
*с проецированным каналом
47. Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты
*вначале уменьшается, а потом увеличивается до 1
*не изменяется
*увеличивается до 1 и потом остается неизменным
*вначале увеличивается до 1, а потом уменьшается
48. В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
*замкнутым ключом
*источником тока коллектора, управляемого током базы
*источником тока эмиттера, управляемого током базы
*разомкнутым ключом
49. К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся
*высокий уровень выходного тока драйвера
*низкая рассеиваемая мощность в драйвере
*ограниченный выходной ток драйвера
*оптимизация разводки печатной платы
50. К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:
*входная емкость
*энергия потерь при включении
*максимально допустимый ток стока
*крутизна передаточной характеристики
51. К предельно допустимым параметрам силового диода относится
*импульсное обратное напряжение
*напряжение пробоя
*время нарастания прямого тока
*динамическое сопротивление
52. К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
*зависимость амплитуды импульса управления от скважности
*независимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
*зависимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
*независимость амплитуды импульса управления от скважности
53. К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
*преобразование переменного напряжения в постоянное напряжение
*преобразование постоянного напряжения в переменное напряжение
*формирование сигналов управления силовой частью
*осуществление оперативного обмена с внешней средой
54. Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно
*с общей базой (ОБ)
*с общим истоком (ОИ)
*с общей подложкой (ОП)
*с общим стоком (ОС)
55. Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
*импульсные
*цифровые
*непрерывные
*релейные
56.Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются
*низкая частота коммутации
*зависимость частоты коммутации от входного напряжения
*зависимость частоты коммутации от тока нагрузки
*низкие динамические характеристики
57. Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса
*6 В
*600 В
*60 В
*6000 В
58. Конструктивно симистор представляет собой
*объединение двух встречновключенных тиристоров
*объединение трех встречновключенных тиристоров
*объединение двух прямовключенных тиристоров
*объединение трех прямовключенных транзисторов
59. Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален
*току коллектора в граничном режиме
*току базы в граничном режиме
*току базы в насыщенном режиме
*току коллектора в насыщенном режиме
60. Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен
*сумме коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
*произведению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
*разности коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
*отношению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
61. Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит
*один генератор пилообразного напряжения
*один синхронизатор
*три синхронизатора
*три генератора пилообразного напряжения
62. По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает
*биполярный транзистор с изолированным затвором
*полевой транзистор с изолированным затвором
*асинхронный тиристор
*биполярный транзистор
63. Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
*произведению величины заряда обратного восстановления и частоты коммутации
*произведению величины заряда обратного восстановления и амплитуды входного сигнала
*произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации
*произведению амплитуды входного сигнала и частоты коммутации
64. Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в
*источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
*источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
*источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт
*источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт
65. Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
*подключение внешних дополнительных защитных устройств
*повышение уровня помехозащищенности системы управления и ключа
*определение момента перегрузки и подключение системы защиты
*уменьшение влияния паразитных элементов монтажа
66. При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности
*наличие более низких амплитудных значений переключающих токов и высоких значений рассеиваемой мощности
*наличие более высоких амплитудных значений переключающих токов
*изменение формы коммутируемых токов и напряжений
*наличие более высоких значений рассеиваемой мощности
67. Полевой транзистор в линейном режиме используется как
*источник тока, управляемый напряжением на затворе
*сопротивление, управляемое напряжением на затворе
*источник тока, управляемый током на затворе
*сопротивление, управляемое током на затворе
68. Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
*силовые ключи с встроенными системами защиты
*силовые ключи с интегрированными функциями защиты и управления
*силовые ключи с внешними системами защиты и управления
*силовые интеллектуальные модули
69. Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
*период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
*период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
*период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
*период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
70. Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ
*прямо пропорциональна напряжению на затворе
*прямо пропорциональна току коллектора
*обратно пропорциональна напряжению на затворе
*обратно пропорциональна току коллектора
71. Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть
*равно 2-х кратному выходному напряжению выпрямителя
*больше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
*меньше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
*равно выходному напряжению выпрямителя
72. Оптотиристор – это
*тиристор со встроенным в него светоизлучателем
*фототиристор со встроенным в него светоприемником
*тиристор со встроенным в него светоприемником
*фототиристор со встроенным в него светоизлучателем
73. Основными видами перегрузок по напряжению не являются
*характер подключенной нагрузки
*коммутационные процессы
*воздействие питающей сети
*короткое замыкание цепи нагрузки
74. Особенностью МОП-транзисторов является
*низкое входное сопротивление и высокое быстродействие
*низкое входное сопротивление и низкое быстродействие
*высокое входное сопротивление и высокое быстродействие
*высокое выходное сопротивление и низкое быстродействие
75. Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
*предельное обратное напряжение более 100 В
*низкую инерционность прибора
*время обратного восстановления не более 0,3 мкс
*падение прямого напряжения от 0,3 до 0,6 В
76. Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между
*затвором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
*затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
*коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
*коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
77. Плоскостные диоды
*имеют малую площадь p-n-перехода
*используются для выпрямления малых токов
*используются для выпрямления больших токов
*имеют большую площадь p-n-перехода
78. Полевые транзисторы нельзя включать по схеме
*с общим затвором (ОЗ)
*с общим стоком (ОС)
*с общим истоком (ОИ)
*с общей базой (ОБ)
79. Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
*прямо пропорциональна среднему выходному току драйвера
*прямо пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
*обратно пропорциональна среднему выходному току драйвера
*обратно пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
80. При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный
*p-n-переход
*униполярный транзистор
*биполярный транзистор
*n-p-переход
81. При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
*резко увеличивается
*резко уменьшается
*равна нулю
*увеличивается постепенно
82. При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
*стремится к бесконечности
*меньше нуля
*равно нулю
*имеет конечную величину
83. При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
*через устройство синхронизации (УС) на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
*через устройство синхронизации (УС) на вход нуль - органа (НО)
*через устройство синхронизации УС на вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)
*на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
84. Ток стока IGBT транзистора
*обратно пропорционален эквивалентной крутизне
*обратно пропорционален напряжению на затворе
*прямо пропорционален эквивалентной крутизне
*прямо пропорционален напряжениюна затворе
85. Главным достижением развития современных силовых ключей является
*объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций переключателя и защиты
*объединение в едином корпусе прибора функций переключателя, управления и защиты
*объединение в едином корпусе прибора источника тока и функций переключателя и защиты
*объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций управления и защиты
обрабатываться непосредственно в блоке БОИ ; транслироваться в блок коммутационной аппаратуры КА
86. Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут
*транслироваться в устройство контроля и диагностики (УКД)
*обрабатываться непосредственно в блоке БОИ
*транслироваться в блок коммутационной аппаратуры КА
*транслироваться в блок датчиков Д
87. Силовой диод содержит
*два p-n-перехода
*один p-n-переход
*три p-n-перехода
*один p-n-p-переход
88. Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
*имеющий трехслойную структуру
*управляемый электрическими импульсами
*имеющий четырехслойную структуру
*управляемый световыми импульсами
89. В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
*наличие длительных многократных перегрузок по току
*индуктивный характер нагрузки
*наличие противонаправленной ЭДС вращения
*наличие кратковременных многократных перегрузок по току
90. Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
*не полностью управляемый прибор
*полностью управляемый током прибор
*неуправляемый прибор
*полностью управляемый электрическим полем прибор
91. Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет
*более низкое быстродействие
*более высокое сопротивление канала в проводящем состоянии
*более высокое быстродействие
*более низкое сопротивление канала в проводящем состоянии
92. Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
*биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
*тиристоры (SCR)
*биполярные и МОП-транзисторы
*симисторы (триаки)
93. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
*сварочных аппаратах
*робототехнике
*печах СВЧ
*линиях электропередач
94. Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
*фронта нарастания силового тока
*величины дополнительной индуктивности
*типа транзистора
*величины защитной емкости
95. Статический индукционный транзистор СИТ может работать при
*обратном смещении затвора (режим биполярного транзистора)
*прямом смещении затвора (режим полевого транзистора)
*прямом смещении затвора (режим биполярного транзистора)
*обратном смещении затвора (режим полевого транзистора)
96. Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
*дополнительным слоем полупроводника n-типа
*дополнительным слоем полупроводника p-типа
*дополнительным слоем полупроводника p-n-типа
*дополнительным слоем полупроводника n-p-типа
97. Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие
*только в выпрямительном режиме
*только в инверторном режиме
*в инверторном режиме
*в выпрямительном режиме
98. Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
*идеальный диод
*катушку индуктивности
*электрическую батарею
*резистор с динамическим сопротивлением
99. Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
*повышают уровень индуктивной связи между проводниками
*гальваническую развязку между основными токоведущими шинами схемы и драйверами ключей *уменьшают индуктивную связь между проводниками
*повышают уровень емкостной связи между цепями
100. Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
*наличие участка вторичного пробоя
*высокая температурная устойчивость
*низкая температурная устойчивость
*отсутствие участка вторичного пробоя
101. Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
*управляемых транзисторных генераторов
*импульсных трансформаторов
*R-L-Сцепей
*интегральных микросхем
102. Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется
*путем размыкания его базовой цепи
*путем размыкания его эмиттерной цепи
*путем размыкания его коллекторной цепи
*путем размыкания его затворной цепи
103. Электрический пробой силового диода возникает, когда
*обратное напряжение уменьшается по отношению к установленному порогу
*обратное напряжение увеличивается сверх установленного порога
*обратное напряжение отсутствует
*обратное напряжение равно значению установленного порога
104. Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
*энергии
*информации
*тока
*напряжения
105. IGBT транзистор не находит применение в области
*высоких напряжений
*высоких частот
*высоких мощностей
*высоких токов коммутации
106. Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
*автоэлектронике
*сварочных аппаратах
*аудиотехнике
*видеотехнике
107. SIT транзисторы производятся с каналами
*только p-типа
*только n-типа
*n-типа
*p-типа
108. Транзисторы Дарлингтона используют для
*увеличения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
*уменьшения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
*уменьшения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
*увеличения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
109. К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится
*максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
*энергия, которая может выделиться в тиристоре без его разрушения
*напряжение лавинного пробоя
*ударный ток
110. При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
*больше нуля
*меньше нуля
*стремится к бесконечности
*равно нулю
111. В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью
*электрического поля, перпендикулярного направлению тока
*электрического поля, параллельного направлению тока
*тока, перпендикулярного направлению напряжения
*тока, параллельного направлению напряжения
112. К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения относятся
*время нарастания
*время запаздывания обратного напряжения
*время выключения
*время установления
113. В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся
*две системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
*две системы управления инверторным режимом (СУИР)
*три системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
*три системы управления инверторным режимом (СУИР)
114. Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют
*магнитные выключатели
*плавкие предохранители общего назначения
*быстродействующие плавкие предохранители
*биметаллические выключатели
115. К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
*максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
*ударный ток
*напряжение лавинного пробоя
*напряжение переключения тиристора
116. Транзистор – это
117. В основе биполярного транзистора лежит
118. В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется
119. В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения
120. Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы
121. В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
122. В активном режиме работы биполярного транзистора
123. В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить
124. Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы
125. Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения
126. Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы
127. Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки
128. В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить
129. В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют
130. В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях
131. В режиме отсечки силового биполярного транзистора
132. В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут
133. Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
134. С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо
135. Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем
136. Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO
137. В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится
138. Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц
139. Область применения биполярных и МОП-транзисторов
140. Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имеют
141. Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют
142. Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
143. В резонансных силовых преобразователях
144. Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью
145. К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится
146. Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с
147. Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор) не содержит
148. Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее перспективными являются
149. Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров
150. Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по
151. Основная функция силового диода
152. В режиме лавинного пробоя силового диода резко увеличивается
153. Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью
154. К параметрам силовых диодов не относятся
155. К статическим параметрам силового диода не относится
156. Динамическими параметрами силового диода являются
157. Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами
158. Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки
159. Точечные диоды
160. Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:
161. Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия
162. Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока осуществляется
163. При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток
164. Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию
165. Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы
166. К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся
167. К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся
168. В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:
169. Полевой транзистор в режиме насыщения используется как
170. Для изготовления высоковольтных DМОП - транзисторов с n-каналом используются
171. При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–транзисторами имеют
172. Качество МДП - структуры тем выше, чем
173. Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит
174. К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится
175. К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся
176. На основе тиристоров с неполной управляемостью построены
177. Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании
178. Ассиметричный (обычный) тиристор содержит
179. В тиристоре SCR при подаче только положительного напряжения между анодом и катодом, но с величиной меньше напряжения переключения,
180. К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится
181. Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха
182. Симистор – это тиристор, который может
183. При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются
184. Запираемый тиристор GTO
185. Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его
186. В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует
187. Силовые комбинированные приборы могут коммутировать
188. В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют
189. Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание
190. В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры
191. Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется
192. По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий ток коммутации обеспечивает
193. Высокой температурной устойчивостью не обладает
194. В транзисторе IGBT сочетается
195. Как и МОП-транзистор СИТ транзистор
196. К аппаратам высокого напряжения не относятся
197. К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся
198. К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся
199. Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является
200. Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает
201. Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это
202. Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это
203. Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации
204. Не существует следующего вида модуляций
205. Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к
206. При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
207. При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
208. При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
209. К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся
210. В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение
211. Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к
212. Принципы построения ФИУ не зависят от
213. Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется
214. Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование
215. Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью
216. По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы
217. Для реализации идеального управляющего импульса необходимо
218. Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ
219. Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает
220. К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится
221. Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с
222. В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный
223. В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
224. Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами
225. К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся
226. Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ
227. Система управления электронными ключами не предназначена для
228. Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями
229. В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится
230. При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
231. Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное
232. В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения
233. В одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем совпадения (СС) поступают импульсы с выходов
234. В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину
235. Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна
236. В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения
237. Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового инвертора напряжения
238. В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией содержится
239. Коэффициент заполнения импульсов силового ключа
240. Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит
241. Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют
242. Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок
243. Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют
244. Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют
245. К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится
246. В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют
247. Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют
248. С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный
249. Силовым диодом называется